Reunión General del proyecto europeo ALL2GaN
La Escuela Politécnica de Mondragon Unibertsitatea ha avanzado en el modelado de semiconductores GaN y ha realizado una propuesta de detección ultrarrápida de cortocircuitos
El proyecto europeo ALL2GaN es una respuesta directa al reto europeo del «Pacto Verde» y a sus objetivos de transformar las economías para lograr la neutralidad climática en 2050, sin impedir el crecimiento económico y mediante el uso sostenible de los recursos naturales.
ALL2GaN representa una piedra angular hacia el objetivo de la Ley Europea del Chip de crear un ecosistema europeo del chip. Los objetivos generales del proyecto pretenden aumentar la eficiencia material y energética de las tecnologías de RF de potencia de GaN, incluidos todos los aspectos, desde los sustratos hasta los sistemas.
El consorcio que trabaja en el proyecto reúne a 45 socios de 12 países europeos, entre los que se encuentra Mondragon Unibertsitatea, y abarcan desde capacidades de investigación, diseño, producción y aplicación de categoría mundial hasta el desarrollo a nivel industrial, con el objetivo de hacer realidad los últimos avances.
Encuentro de valoración en Madrid
Los días 29 y 30 de abril de 2025, la Universidad Politécnica de Madrid – Centro de Electrónica Industrial acogió la Asamblea General M24 del Proyecto ALL2GaN.
El evento reunió a expertos de las 45 instituciones que participan en el proyecto y permitió hacer una revisión del progreso del proyecto, además de coordinar objetivos futuros y fortalecer la colaboración entre las partes. La asamblea fomentó la coordinación técnica entre diferentes entidades, impulsando la innovación de los agentes europeos.
Por parte de la Escuela Politécnica de Mondragon Unibertsitatea participó David Garrido, profesor investigador del grupo de investigación de Sistemas Electrónicos de Potencia aplicados al Control de la Energía Eléctrica. David presentó los avances realizados por Mondragon Unibertsitatea para el modelado de semiconductores GaN, así como una propuesta de detección ultrarrápida de cortocircuitos para estos semiconductores cuyo desarrollo se acometerá durante el último año del proyecto.
